DX/GX両立に向けたパワーエレクトロニクス次世代化加速事業

事業概要

GaNへのイオン注入技術を完成させるため、GaNへのイオン注入のメカニズムの学理的解明を進めるとともに、世界初のGaN専用高温高圧アニーリング装置を開発する。 さらに、イオン注入技術を応用して、超低損失なデバイス構造（超接合構造）等の作り込み技術を確立する 。また、AI・数理分野の知見・技術も取り入れつつ、研究者がチームを組んでGaNパワーデバイスの特性を引き出す回路・受動素子等を開発するとともに、GaNパワーデバイスを用いたパワエレ実機の試作・検証を行う。

目的

電力変換・制御技術であるパワーエレクトロニクス（パワエレ）の次世代化加速による社会全体の省エネ化を促し、喫緊の課題であるDXとGXが両立した社会の実現に貢献する。